S.V.I S.V.I

Основы электроники, Миловзоров О.В 2016.

Основы электроники, Миловзоров О.В., 2016.

В учебнике рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся основ
полупроводниковой электроники, аналоговой и цифровой схемотехники.
Описана работа полу проводниковых приборов — диодов, биполярных и
полевых транзисторов и схем на их основе; схемотехника аналоговых
устройств на основе операционных усилителей, силовая электроника.
Освещены вопросы цифровой схемотехники, включая основы алгебры логики,
простейшие логические элементы, комбинационные и последовательностные
устройства, полупроводниковые запоминающие устройства, микропроцессоры
и интерфейсные схемы, программируемые логические интегральные схемы.
Рассмотрены микроархитектуры современных процессоров.
Для студентов образовательных учреждений среднего профессионального
образования, обучающихся по инженерно-техническим направлениям и специальностям.

P-n-переход и его свойства.
Тонкий слой полупроводника между двумя областями, одна из которых
представляет полупроводник р-типа, а другая n-типа, называют р-n-переходом.
Концентрации основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равны
или существенно различаться. В первом случае p-n-переход называют симметричным,
во втором — несимметричным. Чаще используют несимметричные переходы.

Скачать: Yandex Disk

Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.